矽晶圓的製造流程主要可分為晶體生長流程與晶圓加工流程。
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在 CZ 法中，於拉晶裝置內設置加熱器、石墨坩堝、石英坩堝以及多晶矽，並在惰性氣氛的減壓環境下進行加熱熔融，將種晶接觸熔融矽並逐漸拉伸，以培育單晶矽。
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用於直徑300mm晶圓的單晶矽錠，其長度可達2公尺，重量可能超過300公斤，體積非常巨大。
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為了達到指定的直徑，對單晶矽錠的外周進行研磨加工。外周的一部分會進行加工以顯示晶體方向，例如溝槽（缺口）或平面（晶向平面：Orientation Flat，簡稱「晶向平面」）。隨後，在進行切片加工之前，將矽錠切割成指定的長度。
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使用鋼線鋸方式或內圓刃方式將矽錠切割成晶圓形狀。
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為了防止在晶圓製造過程中出現崩裂或裂痕，使用鑽石砂輪對晶圓的邊緣進行圓弧狀研磨進行倒角處理。
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在旋轉的上下研磨盤之間，將放置晶圓的載體進行旋轉，同時供應研磨粒子，對晶圓的雙面進行研磨。
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將放置晶圓的夾具置於混合酸的蝕刻液中旋轉，同時進行蝕刻，徹底去除前段機械加工所造成的破壞層。
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透過擴散爐進行熱處理，分解在晶體生長過程中生成的因氧氣引起的不穩定施體（n型雜質），使其恢復至原本的電阻率。
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將貼有研磨布的旋轉定盤上，壓上黏附晶圓的基板，同時供應研磨材料，透過機械與化學的複合作用進行研磨，直到表面達到鏡面效果。
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使用化學藥劑和超純水對晶圓進行清洗，從化學及物理層面進行潔淨處理。
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使用高亮度聚光燈照射晶圓表面進行外觀檢查，並使用專用檢測設備檢測平坦度、比電阻以及表面附著的微小粒子數量等項目。
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將晶圓放入潔淨的出貨用盒子中，並封入防止濕氣等進入的特殊袋子內。
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晶圓會放入能吸收衝擊的出貨專用箱中，以避免因受到些許撞擊而損壞，並進行出貨。